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韩三星开发出新一代超高速存储器芯片-资讯印刷加工

发布时间:2022-11-01 12:55:00 来源:泰瑞机械网
韩三星开发出新一代超高速存储器芯片-资讯 韩国三星电子公司最近成功开发新一代超高速抛光设备存储器芯片“调压器XDR DRAM”,并将投入批量生产。 据《韩国经济新闻》报道,这款芯片是目前动态随机存储器(DRAM)芯片中速度最快的。它的运算速度达到每秒3.2千兆位(Gbps) ,即一个芯片钢板网每秒可以传送1万本300页厚的书的全部内容。与同类普通超高速半导体芯片相比,“XDR DRAM”芯片的运全毛面料算速度要快4倍朝阳。 三星电子公司的“XDR DRAM”新一代芯片采用了单系统线路,既具有新一代超高速存储器芯片的技术特点,又能降低生产成本。三星电子公司计划在今年年底将这款芯片投入批量生产。(编辑 甘心)

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